질소 원자가 선택적으로 도핑된 ＴｉＯ2-ｘＮｘ 나노튜브 및 그의 제조방법TiO2-xNx nanotubes by selective doping of atomic nitrogen states and method for preparing the same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 강정구 | ko |
| dc.contributor.author | 한규성 | ko |
| dc.contributor.author | 이정우 | ko |
| dc.contributor.author | 강용묵 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T00:56:19Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T00:56:19Z | - |
| dc.date.issued | 2011-06-16 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/228970 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 TiO2-xNx(0.01≤x≤0.2) 나노튜브 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 질소 가스로 형성된 플라즈마를 이용하여 TiO2 나노튜브를 처리함으로써 TiO2 구조에서 산소를 부분적으로 질소로 치환하는 공정에 의하여 질소를 원자 단위로 도핑하는 TiO2-xNx 나노튜브의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 TiO2 나노튜브에 질소가 도핑됨으로써 전자구조가 조절되어 밴드갭(band gap)이 감소함으로 인하여 전도성이 향상되고 광흡수 영역 또한 자외선에서 가시광선 영역으로 확장되어 광, 전기 화학적으로 보다 향상된 응용 성능을 갖는 TiO2-xNx 나노튜브를 제공한다. 이산화티타늄(TiO2) 나노튜브, 플라즈마, 질소 도핑, TiO2-xNx 나노튜브 | - |
| dc.title | 질소 원자가 선택적으로 도핑된 ＴｉＯ2-ｘＮｘ 나노튜브 및 그의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | TiO2-xNx nanotubes by selective doping of atomic nitrogen states and method for preparing the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 강정구 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 한규성 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이정우 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 강용묵 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2008-0081384 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1043584-0000 | - |
| dc.date.application | 2008-08-20 | - |
| dc.date.registration | 2011-06-16 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
- Appears in Collection
- EEW-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.