질소 원자가 선택적으로 도핑된 TiO2-xNx 나노튜브 및 그의 제조방법 TiO2-xNx nanotubes by selective doping of atomic nitrogen states and method for preparing the same

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본 발명은 TiO2-xNx(0.01≤x≤0.2) 나노튜브 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 질소 가스로 형성된 플라즈마를 이용하여 TiO2 나노튜브를 처리함으로써 TiO2 구조에서 산소를 부분적으로 질소로 치환하는 공정에 의하여 질소를 원자 단위로 도핑하는 TiO2-xNx 나노튜브의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 TiO2 나노튜브에 질소가 도핑됨으로써 전자구조가 조절되어 밴드갭(band gap)이 감소함으로 인하여 전도성이 향상되고 광흡수 영역 또한 자외선에서 가시광선 영역으로 확장되어 광, 전기 화학적으로 보다 향상된 응용 성능을 갖는 TiO2-xNx 나노튜브를 제공한다. 이산화티타늄(TiO2) 나노튜브, 플라즈마, 질소 도핑, TiO2-xNx 나노튜브
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2008-08-20
Application Number
10-2008-0081384
Registration Date
2011-06-16
Registration Number
10-1043584-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/228970
Appears in Collection
EEW-Patent(특허)
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