2차원 반도체, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 반도체 소자 TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR, PRODUCING METHOD THEREOF, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

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두께에 따라 에너지 밴드 간격이 달라지는 특성을 갖는 2차원 반도체, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 반도체 소자가 개시된다. 일 실시예에 따른 2차원 반도체는 제1 두께로 형성된 제1 레이어와, 제2 두께로 형성된 제2 레이어를 포함하고, 상기 제1 두께와 상기 제2 두께는 서로 상이하고, 상기 제1 레이어는 제1 전극과 제1 접합을 형성하고, 상기 제2 레이어는 제2 전극과 제2 접합을 형성한다.
Assignee
건국대학교 산학협력단,한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2017-10-26
Application Date
2016-07-01
Application Number
10-2016-0083620
Registration Date
2017-10-26
Registration Number
10-1792953-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/228747
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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