Showing results 1 to 2 of 2
Device characteristics of nanoscale metal/insulator tunnel transistors in the ballistic quantum transport regime Shin, Mincheol, DIFFUSION AND DEFECT DATA PT.B: SOLID STATE PHENOMENA, v.121-123, no.PART 1, pp.525 - 528, 2007 |
Modeling and simulation study on the nano-scaled schottky-barrier junction and MOSFETs = 나노 수준의 크기를 갖는 쇼트키 배리어 접합 구조와 모스펫에 대한 모델링 및 시뮬레이션 연구link Lee, Jaehyun; 이재현; et al, 한국과학기술원, 2016 |
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