멀티게이트 트랜지스터의 콤팩트 모델링 및 특성 연구Research on the compact modeling for multi-gate transistors and its characteristic

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본 논문은 더블게이트 트랜지스터의 콤팩트 모델에 대한 연구이다. 첫째로, BSIM-MG 모델을 바탕으로 한 더블게이트 인버전 모드 트랜지스터 모델과 그것의 개선이 논의되어있다. 둘째로, 더블게이트 정션리스 트랜지스터의 간단한 해석적 모델이 개발되었다. 더블게이트 인버전 모드 트랜지스터에서 서피스 퍼텐셜의 초기해를 효과적으로 추정할 수 있는 방법과 정밀한 인버전 전하 모델이 제안되었다. 새로 개발된 서피스 퍼텐셜 초기해 추정방법은 스무딩 펑션을 사용하는 기존의 영역별 접근법을 배제하고 전 동작 영역에서 유효하다. 이 해석적 방법을 사용한 결과 불연속점이 보이지 않았다. 인버전 전하 모델은 테일러 급수 전개의 2차 근사와 퍼텐셜 형태를 2차 함수로 가정하여 얻었다. 더블게이트 정션리스 트랜지스터의 콤팩트 모델이 개발되었다. 개발된 모델은 퍼텐셜 모델과 전류 모델로 구성되어있다. 영역별 근사를 통해 어떤 음함수나 수치적 반복법 없이 서피스 퍼텐셜과 센터 퍼텐셜이 계산된다. 계산된 퍼텐셜을 이용해 구한 드리프트 전류와 디퓨전 전류의 합으로 드레인 전류가 얻어진다.
Advisors
이석희researcherLee, Seok-Hee
Description
한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
2012
Identifier
509461/325007  / 020104459
Language
kor
Description

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과, 2012.8, [ v, 37 p. ]

Keywords

더블 게이트 트랜지스터; 정션리스 트랜지스터; double gate transistor; junctionless transistor; compact model; 콤팩트 모델

URI
http://hdl.handle.net/10203/180623
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=509461&flag=dissertation
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EE-Theses_Master(석사논문)
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