실리콘 웨이퍼의 폴리싱 공정에서 웨이퍼 표면의 제거속도에 미치는 공정변수의 영향

Abstract

20세기 이후 전자 산업에서 흔히 사용되는 실리콘 웨이퍼는 잉곳에서 얇게 잘라서 제 조한다. 절단한 후에 균일한 두께를 유지시키고, 절단시 손상된 표면을 제거하고 매끈한 표면을 유지하도록 lapping, etching 등의 여러 공정이 사용되는데, 통상적인 마지막 단계의실리콘 웨이퍼 처리공정으로는 슬러리를 사용한 폴리싱 공정이 사용된다. 웨이퍼 폴리싱 단계를 거친 실리콘 웨이퍼는 1μm 이하의 균일한 표면 평탄화도를 가져야하며, 표면에 잔류하는 오염 물질이 없어야 한다. 본 연구에서는 단일 웨이퍼 arm을 갖는 wafer polisher로lapping을 거친 웨이퍼의 bare silicon surface를 상대속도와 하중을 변하시키면서 연마하고,여러 가지 조건에서 연마 전·후 웨이퍼의 무게를 측정하여 연마속도의 균일도 변화를 분석하였다.