p-형 게이트를 가진 GaAs FECFET의 제작과 특성
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 권영세 | - |
| dc.date.accessioned | 2013-03-14T14:08:37Z | - |
| dc.date.available | 2013-03-14T14:08:37Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 1992 | - |
| dc.identifier.citation | 대한젼자공학회 추계 종합학술대회, v., no., pp. - | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/109522 | - |
| dc.language | KOR | - |
| dc.title | p-형 게이트를 가진 GaAs FECFET의 제작과 특성 | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.type.rims | CONF | - |
| dc.citation.publicationname | 대한젼자공학회 추계 종합학술대회 | - |
| dc.identifier.conferencecountry | South Korea | - |
| dc.identifier.conferencecountry | South Korea | - |
| dc.contributor.localauthor | 권영세 | - |
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- EE-Conference Papers(학술회의논문)
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